英特尔在华发布采用 3D NAND 技术的全新数据中心级固态盘

 

2017 5 10 ,大连 — 今天,英特尔在其大连工厂发布了两款全新的采用 3D NAND 的数据中心级固态盘:英特尔® 固态盘 DC P4500 系列及英特尔® 固态盘 DC P4600 系列。这两款产品主要为云存储解决方案所设计,可应用于软件定义存储及融合式基础设施。英特尔® 固态盘 DC P4500 系列专门针对数据读取进行优化,能让数据中心从服务器中获得更多价值并存储更多数据。而针对混合型工作负载所设计的英特尔® 固态盘 DC P4600 系列则可以加速缓存,并使每台服务器可运行的工作负载量实现提升。同时,作为 “非易失性存储器” 制造基地的英特尔大连工厂正在扩建,以满足市场对 3D NAND 供应日益增长的需求,今天发布的这两款产品也是英特尔大连工厂升级后出货的基于 3D NAND 数据中心级固态盘。

 

英特尔公司非易失性存储器解决方案事业部副总裁兼全球制造总经理 Keyvan Esfarjani 表示:“通过发布全新数据中心级固态盘 DC P4500 系列及 P4600 系列,英特尔将进一步扩大在云存储解决方案领域的技术领先优势。我对英特尔大连工厂的执行工作感到满意,并为进一步扩展我们的运营,实现规模效益来满足客户日益增长的需求而倍感兴奋。”

 

大连市委常委、金普新区管委会王强主任在发布会说,“从 2015 年 10 月英特尔公司宣布投资 55 亿美元将大连工厂升级为世界最先进的非易失性存储制造工厂,到去年 7 月英特尔大连工厂项目提前投产,今天又宣布大连工厂的扩建计划,一年一个大台阶,既是英特尔在大连加快发展的一个重要里程碑,也标志着大连市集成电路产业越上新高度。 这是大连市和英特尔多年来密切合作取得的又一双赢成果。近期辽宁省自贸区大连片区在金普新区挂牌成立。自贸区的启动运作必将为包括英特尔在内的所有企业提供更加便利、优越和充满竞争力的投资环境,进一步助推大连市集成电路制造产业链的成长壮大、将大连打造成世界级的存储制造中心。”

 

<现场嘉宾合影留念>

 

英特尔大连工厂于 2007 年奠基,2010 年正式投产。2015 年 10 月,英特尔宣布投资 55 亿美元,升级大连工厂为非易失性存储技术制造基地。英特尔大连工厂是绿色制造的典范。工厂在设计、建造和运营上都遵循最高级别的环保标准,在节水改造方面树立了标杆。与此同时,英特尔大连工厂也非常重视本土人才培养,并与当地政府、学校、产业链伙伴以及社区展开广泛合作推动可持续发展,连续多年荣获“大连市企业履行社会责任最佳外商投资企业”称号。这一系列的持续投入,带动了区域经济发展,为高端制造持续注入新动力。

 

“中国是制造大国,也是数据大国,英特尔致力做中国的高价值合作伙伴,不断推动技术创新,和产业深度合作。”英特尔公司全球副总裁兼中国区总裁杨旭表示,“英特尔将非易失性存储技术落地到中国,不仅大力支持了大连高端制造业的发展。随着产能进一步扩大,也能更好地满足数据洪流时代中国及全球市场对高端存储创新的需求。”

 

 

关于英特尔:

英特尔致力于拓展科技疆界,让最佳精彩体验成为可能。如需了解更多信息,请访问英特尔中国新闻中心 newsroom.intel.cn 以及官方网站 intel.cn

 

英特尔和 Intel 标识是英特尔公司在美国和其他国家(地区)的商标。

* 文中涉及的其它名称及商标属于各自所有者资产。

 

关于英特尔

英特尔 (NASDAQ: INTC) 致力于拓展科技疆界,让最佳精彩体验成为可能。

有关英特尔的信息,请访问 newsroom.intel.comwww.intel.com

英特尔和英特尔徽标是英特尔公司在美国和其他国家(地区)的商标。
* 文中涉及的其它名称及商标属于各自所有者资产。