英特尔 10 纳米制程:通过超微缩技术实现业界最高的逻辑晶体管密度

英特尔 10 纳米工艺采用第三代 FinFET(鳍式场效应晶体管)技术,相比其他所谓的“10 纳米”,英特尔 10 纳米预计将会领先整整一代。英特尔 10 纳米工艺使用的超微缩技术 (hyper scaling),充分运用了多图案成形设计 (multi-patterning schemes),并助力英特尔延续摩尔定律的经济效益,从而推出体积更小、成本更低的晶体管。英特尔 10 纳米制程将用于制造英特尔全系列产品,以满足客户端、服务器以及其它各类市场的需求。

 

单个晶体管成本

 

英特尔 10 纳米制程的最小栅极间距从 70 纳米缩小至 54 纳米,且最小金属间距从 52 纳米缩小至 36 纳米。尺寸的缩小使得逻辑晶体管密度可达到每平方毫米 1.008 亿个晶体管,是之前英特尔 14 纳米制程的 2.7 倍,大约是业界其他“10 纳米”制程的 2 倍。

 

10 纳米超微缩

 

晶体管密度

 

相比之前的 14 纳米制程,英特尔 10 纳米制程提升高达 25% 的性能和降低 45% 的功耗。相比业界其他所谓的“10 纳米”,英特尔 10 纳米制程也有显着的领先性能。全新增强版的 10 纳米制程——10++,则可将性能再提升 15% 或将功耗再降低 30%。

 

工艺提升

 

英特尔晶圆代工业务通过两个设计平台——10GP(通用平台)和 10HPM(高性能移动平台),向客户提供英特尔 10 纳米制程。这两个平台包括已验证的广泛硅IP组合、ARM 库和 POP 套件,以及全面整合的一站式晶圆代工服务和支持。

 

 

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